Simulation avec LTspice IV

• Caractéristique statique d'une diode
  
• Réseau de caractéristiques d'un transistor NPN et d'un transistor MOSFET

1. Diode Zener 1N750 (500 mW 4,7 V)

1.1. Saisie du schéma





1.2. Simulation

Simulate -> Edit Simulation Cmd :
DC sweep :
1st Source :
Name of 1st Source to Sweep : I
Type of Sweep : Linear
Start Value : -50m
Stop Value : 50m
Increment : 10u

On lance la simulation (Simulate -> Run).
On obtient la caractéristique U(I) :






2. Transistor 2N2222 (NPN 800 mA 40 V)

2.1. Saisie du schéma





2.2. Simulation

Simulate -> Edit Simulation Cmd :
DC sweep :
1st Source :
Name of 1st Source to Sweep : Vce
Type of Sweep : Linear
Start Value : 0
Stop Value : 5
Increment : 10m

2nd Source :
Name of 2nd Source to Sweep : Ib
Type of Sweep : Linear
Start Value : 0
Stop Value : 1m
Increment : 0.2m


On obtient un réseau de caractéristiques Ic(Vce) pour différentes valeurs de Ib :







3. Transistor IRF1310 (MOSFET à canal N, 100 V 36 mΩ 42 A)

3.1. Saisie du schéma





3.2. Simulation

Simulate -> Edit Simulation Cmd :
DC sweep :
1st Source :
Name of 1st Source to Sweep : Vds
Type of Sweep : Linear
Start Value : 0
Stop Value : 20
Increment : 10m

2nd Source :
Name of 2nd Source to Sweep : Vgs
Type of Sweep : Linear
Start Value : 3.5
Stop Value : 9.5
Increment : 1.5


On obtient un réseau de caractéristiques Id(Vds) pour différentes valeurs de Vgs :





On remarque que le transistor conduit à partir de Vgs = 4 V.

---

Télécharger ces projets LTspice IV

---

(C) Fabrice Sincère ; Révision 1.1.3